
TIP111G ON Semiconductor
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 48.53 грн |
17+ | 35.78 грн |
100+ | 25.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP111G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції TIP111G за ціною від 24.37 грн до 106.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TIP111G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
TIP111G Код товару: 190205
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TIP111G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |