Продукція > ON SEMICONDUCTOR > TIP112G
TIP112G

TIP112G ON Semiconductor

tip110d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+50.42 грн
500+46.58 грн
1000+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TIP112G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції TIP112G за ціною від 25.19 грн до 107.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TIP112G TIP112G Виробник : ON Semiconductor tip110d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+62.02 грн
227+61.48 грн
253+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ON Semiconductor tip110d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+67.13 грн
100+59.34 грн
500+46.34 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ON Semiconductor tip110d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+67.13 грн
235+59.34 грн
500+46.34 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : onsemi tip110-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.03 грн
50+46.80 грн
100+41.70 грн
500+30.73 грн
1000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : onsemi tip110-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.66 грн
10+50.27 грн
100+37.40 грн
500+30.53 грн
1000+25.60 грн
4500+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014426487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP112G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 500
Verlustleistung Pd: 50
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ONSEMI TIP112G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.