TIP112G ON Semiconductor
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
207+ | 56.65 грн |
388+ | 30.11 грн |
500+ | 29.81 грн |
1000+ | 28.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP112G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції TIP112G за ціною від 22.9 грн до 68.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 5569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : onsemi | Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
на замовлення 4011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP112G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 500 Verlustleistung Pd: 50 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TIP112G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |