Продукція > ON SEMICONDUCTOR > TIP112G
TIP112G

TIP112G ON Semiconductor

tip110d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+46.45 грн
500+42.62 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TIP112G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції TIP112G за ціною від 42.90 грн до 105.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TIP112G TIP112G Виробник : onsemi tip110-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.57 грн
50+48.15 грн
100+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ON Semiconductor tip110d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ON Semiconductor tip110d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ON Semiconductor 2993tip110-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014426487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP112G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 500
Verlustleistung Pd: 50
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ONSEMI TIP112G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : onsemi tip110-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP112G TIP112G Виробник : ONSEMI TIP112G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.