TIP125G


tip120-d.pdf Виробник:

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TIP125G

Description: TRANS PNP DARL 60V 5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції TIP125G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TIP125G TIP125G Виробник : ON Semiconductor tip120-d.pdf Trans Darlington PNP 60V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
TIP125G TIP125G Виробник : ONSEMI 1916291.pdf Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
TIP125G TIP125G Виробник : onsemi tip120-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 60V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
TIP125G TIP125G Виробник : onsemi TIP120_D-2320196.pdf Darlington Transistors 5A 60V Bipolar Power PNP
товар відсутній