Технічний опис TIP125G
Description: TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції TIP125G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TIP125G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TIP125G | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TIP125G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TIP125G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |