TIP29BG ON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 394+ | 31.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP29BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції TIP29BG за ціною від 30.18 грн до 123.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| TIP29BG | Виробник : ONSEMI |
TIP29BG NPN THT transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |