TIP29BG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 325+ | 43.46 грн |
| 500+ | 41.30 грн |
| 1000+ | 39.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP29BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції TIP29BG за ціною від 31.72 грн до 105.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TIP29BG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TIP29BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TIP29BG | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TIP29BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
TIP29BG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TIP29BG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 648+ | 54.45 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |
| TIP29BG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 648+ | 54.45 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |
| TIP29BG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.58 грн |
| 50+ | 48.24 грн |
| 100+ | 43.01 грн |
| 500+ | 31.72 грн |
| TIP29BG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)