TIP29BG ON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 323+ | 40.26 грн |
| 500+ | 38.03 грн |
| 1000+ | 36.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP29BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TIP29BG за ціною від 26.11 грн до 123.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Current gain: 15...75 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP29BG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TIP29BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |