Продукція > ON SEMICONDUCTOR > TIP29BG
TIP29BG

TIP29BG ON Semiconductor

tip29bd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
325+43.56 грн
500+41.39 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TIP29BG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції TIP29BG за ціною від 25.62 грн до 109.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TIP29BG TIP29BG ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+54.58 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG TIP29BG ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+54.58 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG TIP29BG onsemi tip29b-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.61 грн
50+47.80 грн
100+42.62 грн
500+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG TIP29BG onsemi tip29b-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.29 грн
10+50.93 грн
100+35.27 грн
500+29.00 грн
1000+26.59 грн
2450+26.04 грн
4900+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG TIP29BG ONSEMI 1913542.pdf Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.29 грн
17+48.46 грн
100+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG tip29bd.pdf
TIP29BG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
648+54.58 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG tip29bd.pdf
TIP29BG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
648+54.58 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG tip29b-d.pdf
TIP29BG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+104.61 грн
50+47.80 грн
100+42.62 грн
500+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG tip29b-d.pdf
TIP29BG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.29 грн
10+50.93 грн
100+35.27 грн
500+29.00 грн
1000+26.59 грн
2450+26.04 грн
4900+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG 1913542.pdf
TIP29BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+109.29 грн
17+48.46 грн
100+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.