TIP29CG

TIP29CG ON Semiconductor


tip29bd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+44.50 грн
500+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TIP29CG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 1A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції TIP29CG за ціною від 24.19 грн до 124.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TIP29CG TIP29CG Виробник : ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+54.31 грн
100+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : ONSEMI TIP29A-C_TIP30A-C.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.09 грн
10+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : ONSEMI TIP29A-C_TIP30A-C.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.70 грн
10+67.56 грн
50+53.10 грн
100+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : onsemi tip29b-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 14582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.80 грн
50+51.86 грн
100+46.22 грн
500+34.08 грн
1000+31.09 грн
2000+28.57 грн
5000+25.42 грн
10000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : onsemi TIP29B-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1A 100V 30W NPN
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.58 грн
10+55.94 грн
100+44.93 грн
500+34.57 грн
1000+29.58 грн
2450+29.43 грн
4900+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : ON Semiconductor tip29b-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014426484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.