TIP3055G ON Semiconductor


tip3055-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TIP3055G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TIPxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2.5MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції TIP3055G за ціною від 106.72 грн до 282.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TIP3055G TIP3055G ONSEMI TIP3055G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 80W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 80W
Case: TO247-3
Current gain: 20...70
Mounting: THT
Frequency: 2.5MHz
Kind of package: tube
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.02 грн
5+150.56 грн
10+123.26 грн
30+106.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G TIP3055G ON Semiconductor tip3055-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.04 грн
120+173.78 грн
270+172.67 грн
510+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G TIP3055G onsemi tip3055-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.98 грн
30+150.27 грн
120+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G TIP3055G ONSEMI ONSMS22433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G TIP3055G onsemi tip3055-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 80W NPN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G TIP3055G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 80W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 80W
Case: TO247-3
Current gain: 20...70
Mounting: THT
Frequency: 2.5MHz
Kind of package: tube
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.02 грн
5+150.56 грн
10+123.26 грн
30+106.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G tip3055-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+249.04 грн
120+173.78 грн
270+172.67 грн
510+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G tip3055-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.98 грн
30+150.27 грн
120+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G ONSMS22433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 90 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP3055G tip3055-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 80W NPN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.