TIP31AG ON Semiconductor
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 773+ | 16.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP31AG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP31AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції TIP31AG за ціною від 17.17 грн до 89.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TIP31AG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TIP31AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP31AG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Case: TO220AB Current gain: 10...50 Mounting: THT Frequency: 3MHz Power dissipation: 40W Kind of package: tube |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP31AG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 40W NPN |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP31AG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TIP31AG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Case: TO220AB Current gain: 10...50 Mounting: THT Frequency: 3MHz Power dissipation: 40W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP31AG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP31AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |