TIP32AG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1850+ | 35.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1850 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP32AG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції TIP32AG за ціною від 31.95 грн до 141.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TIP32AG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TIP32AG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TIP32AG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP32AG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 10...50 Frequency: 3MHz |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP32AG | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TIP32AG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 40W PNP |
на замовлення 5083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
TIP32AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TIP32AG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 44.25 грн |
| 1000+ | 40.81 грн |
| TIP32AG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 44.25 грн |
| 1000+ | 40.81 грн |
| TIP32AG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 71.21 грн |
| 500+ | 60.22 грн |
| 1000+ | 55.40 грн |
| 2500+ | 49.99 грн |
| TIP32AG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 10...50
Frequency: 3MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 10...50
Frequency: 3MHz
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 86.70 грн |
| 50+ | 33.13 грн |
| 100+ | 31.95 грн |
| TIP32AG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.87 грн |
| 50+ | 65.85 грн |
| 100+ | 58.93 грн |
| 500+ | 43.92 грн |
| 1000+ | 40.25 грн |
| 2000+ | 37.17 грн |
| TIP32AG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 40W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 40W PNP
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TIP32AG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)