Продукція > NTE ELECTRONICS, INC. > TIP34C
TIP34C

TIP34C NTE Electronics, Inc.

67tip33a_c_34a_c.pdf Виробник: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT PNP 100V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+333.64 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TIP34C NTE Electronics, Inc.

Description: TRANS PNP 100V 10A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 80 W.

Інші пропозиції TIP34C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TIP34C TIP34C Виробник : NTE Electronics, Inc. 67tip33a_c_34a_c.pdf Trans GP BJT PNP 100V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP34C TIP34C Виробник : STMicroelectronics 3638cd00000920.pdf Trans GP BJT PNP 100V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP34C TIP34C Виробник : STMicroelectronics en.CD00000920.pdf Description: TRANS PNP 100V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP34C TIP34C Виробник : Central Semiconductor Corp LSSGP091.PDF Description: TRANS PNP 100V 10A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP34C Виробник : onsemi en.CD00000920.pdf LSSGP091.PDF Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP34C Виробник : Bourns en.CD00000920.pdf LSSGP091.PDF Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP34C TIP34C Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000920.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP34C Виробник : Central Semiconductor LSSGP091.PDF Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.