TIP35B ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - TIP35B - TIP35 - TRANS GP BJT NPN 80V 25A RAIL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 77.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP35B ONSEMI
Description: TRANS NPN 80V 25A TO-218, Packaging: Box, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-218, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції TIP35B за ціною від 76.78 грн до 84.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TIP35B | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 25A TO-218 Packaging: Box Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-218 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| TIP35B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 25A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
на замовлення 3321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| TIP35B |
|
на замовлення 10115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
TIP35B | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 80V 25A TO-218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
| TIP35B | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||
| TIP35B | Виробник : Bourns |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||
| TIP35B | Виробник : Central Semiconductor |
Array |
товару немає в наявності |
||||||||||
| TIP35B | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |