TIP41BG ON Semiconductor
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 492+ | 25.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP41BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції TIP41BG за ціною від 22.66 грн до 110.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TIP41BG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TIP41BG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TIP41BG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 80V 65W NPN |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TIP41BG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TIP41BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
TIP41BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
TIP41BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| TIP41BG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 6A; 65W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 6A Case: TO220AB Current gain: 15...75 Mounting: THT Frequency: 3MHz Power dissipation: 65W Kind of package: tube |
товару немає в наявності |