Продукція > TI > TISP61089BDR

TISP61089BDR

Виробник: TI

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TISP61089BDR TI

Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Capacitance: 100pF, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A, Current - Hold (Ih): 150 mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Voltage - Off State: 170V, Voltage - Breakover: 64V, Number of Elements: 2, Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції TISP61089BDR

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	TISP61089BDR	Bourns Inc.	Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Capacitance: 100pF Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A Current - Hold (Ih): 150 mA Supplier Device Package: 8-SOIC Voltage - Off State: 170V Voltage - Breakover: 64V Number of Elements: 2 Mounting Type: Surface Mount	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	TISP61089BDR	Bourns	SCRs Dual P Gate Forward Conducting	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

TISP61089BDR

Виробник: Bourns Inc.
Description: THYRISTOR 170V 30A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacitance: 100pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Off State: 170V
Voltage - Breakover: 64V
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TISP61089BDR

Виробник: Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.