Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ15S06M3L,LXHQ
TJ15S06M3L,LXHQ

TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.80 грн
4000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TJ15S06M3L,LXHQ за ціною від 29.34 грн до 108.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.23 грн
10+65.98 грн
100+43.82 грн
500+32.21 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Виробник : Toshiba TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624-1840196.pdf MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.