Продукція > TOSHIBA > TK024N60Z1,S1F(S
TK024N60Z1,S1F(S

TK024N60Z1,S1F(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK024N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 506W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1592.20 грн
5+1069.70 грн
10+953.78 грн
50+798.59 грн
100+695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK024N60Z1,S1F(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK024N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 506W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DTMOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).