Продукція > TOSHIBA > TK090E65Z,S1X(S
TK090E65Z,S1X(S

TK090E65Z,S1X(S Toshiba

tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+357.11 грн
42+341.77 грн
50+328.75 грн
100+306.25 грн
250+274.96 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK090E65Z,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 230W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції TK090E65Z,S1X(S за ціною від 374.09 грн до 566.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK090E65Z,S1X(S TK090E65Z,S1X(S Toshiba tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+386.18 грн
500+374.09 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S TK090E65Z,S1X(S Toshiba tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+386.49 грн
500+374.39 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S TK090E65Z,S1X(S Toshiba tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.87 грн
10+510.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S TK090E65Z,S1X(S TOSHIBA 3758285.pdf Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S TK090E65Z,S1X(S Toshiba tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf
TK090E65Z,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+386.18 грн
500+374.09 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf
TK090E65Z,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+386.49 грн
500+374.39 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf
TK090E65Z,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+566.87 грн
10+510.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S 3758285.pdf
TK090E65Z,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(S tk090e65z_datasheet_en_20220201.pdf
TK090E65Z,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.