Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK100S04N1L,LXHQ
TK100S04N1L,LXHQ

TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TK100S04N1L,LXHQ за ціною від 44.95 грн до 115.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.23 грн
10+85.83 грн
100+61.35 грн
500+48.86 грн
1000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ Виробник : Toshiba TK100S04N1L_datasheet_en_20200624-1840137.pdf MOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 17681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.01 грн
10+93.91 грн
25+75.78 грн
100+64.74 грн
250+60.99 грн
500+52.16 грн
1000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.