TK10J80E,S1E(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK10J80E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 287.33 грн |
| 10+ | 182.77 грн |
| 100+ | 135.84 грн |
| 500+ | 107.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10J80E,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10J80E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK10J80E,S1E(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK10J80E,S1E(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |