Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK125V65Z,LQ
TK125V65Z,LQ

TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK125V65Z_datasheet_en_20201016.pdf?did=67738&prodName=TK125V65Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+178.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK125V65Z,LQ за ціною від 210.63 грн до 440.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK125V65Z,LQ TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z_datasheet_en_20201016.pdf?did=67738&prodName=TK125V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.29 грн
10+286.11 грн
100+210.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ TK125V65Z,LQ Toshiba BEBDB607E381ACBD592F7F0869686CF0C68D1D46F3B71557D9DAF8DD25E1E6F1.pdf MOSFETs MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ TK125V65Z_datasheet_en_20201016.pdf?did=67738&prodName=TK125V65Z
TK125V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+440.29 грн
10+286.11 грн
100+210.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ BEBDB607E381ACBD592F7F0869686CF0C68D1D46F3B71557D9DAF8DD25E1E6F1.pdf
TK125V65Z,LQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.