TK12A60W Toshiba

Виробник: Toshiba

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис TK12A60W Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11.5A, Pulsed drain current: 46A, Power dissipation: 35W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 25nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції TK12A60W

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	TK12A60W,S4VX(M	TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн.

TK12A60W,S4VX(M

Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.