Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK160F10N1L,LXGQ
TK160F10N1L,LXGQ

TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220SM(W), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc).

Інші пропозиції TK160F10N1L,LXGQ за ціною від 115.33 грн до 351.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.95 грн
10+188.56 грн
100+139.05 грн
500+115.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ Toshiba 886C66D6E649A8A74C4AC24AC412426E0B39405F18A6552E123A5F9A7FC50361.pdf MOSFETs PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 26372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.16 грн
10+229.68 грн
100+141.35 грн
500+123.07 грн
1000+115.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.95 грн
10+188.56 грн
100+139.05 грн
500+115.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ 886C66D6E649A8A74C4AC24AC412426E0B39405F18A6552E123A5F9A7FC50361.pdf
TK160F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 26372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.16 грн
10+229.68 грн
100+141.35 грн
500+123.07 грн
1000+115.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.