Інші пропозиції TK20A60W,S5VX за ціною від 128.20 грн до 305.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK20A60W,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK20A60W,S5VX | Toshiba |
MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
TK20A60W,S5VX Код товару: 143775
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
очікується: 2 шт
|
В кошику од. на суму грн. |
| TK20A60W,S5VX |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 305.69 грн |
| 10+ | 193.68 грн |
| 50+ | 150.49 грн |
| 100+ | 128.20 грн |
| TK20A60W,S5VX |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK20A60W,S5VX Код товару: 143775
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
очікується: 2 шт
- 2 шт - очікується