TK25S06N1L,LQ(O Toshiba
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 162+ | 80.47 грн |
| 216+ | 60.16 грн |
| 253+ | 51.26 грн |
| 500+ | 42.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK25S06N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 25A, Power dissipation: 57W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TK25S06N1L,LQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK25S06N1L,LQ(O | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 57W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 57W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |