Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK33S10N1Z,LXHQ
TK33S10N1Z,LXHQ

TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK33S10N1Z,LXHQ за ціною від 38.80 грн до 150.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK33S10N1Z,LXHQ TK33S10N1Z,LXHQ Виробник : Toshiba TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624-1150677.pdf MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.50 грн
10+86.96 грн
25+71.56 грн
100+53.11 грн
500+43.09 грн
1000+39.87 грн
2000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQ TK33S10N1Z,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.67 грн
10+92.32 грн
100+62.27 грн
500+46.37 грн
1000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQ TK33S10N1Z,LXHQ Виробник : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.