Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK33S10N1Z,LXHQ
TK33S10N1Z,LXHQ

TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK33S10N1Z,LXHQ за ціною від 37.30 грн до 144.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK33S10N1Z,LXHQ TK33S10N1Z,LXHQ Виробник : Toshiba TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624-1150677.pdf MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+83.59 грн
25+68.79 грн
100+51.06 грн
500+41.42 грн
1000+38.33 грн
2000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQ TK33S10N1Z,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.84 грн
10+88.74 грн
100+59.86 грн
500+44.58 грн
1000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQ TK33S10N1Z,LXHQ Виробник : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.