Продукція > TOSHIBA > TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1,S1X(S

TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B96BD221F820&compId=TK34E10N1.pdf?ci_sign=eb28cecc78e148e75c60151993e386db50c2788d Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.95 грн
8+54.26 грн
10+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 103W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK34E10N1,S1X(S за ціною від 59.53 грн до 143.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B96BD221F820&compId=TK34E10N1.pdf?ci_sign=eb28cecc78e148e75c60151993e386db50c2788d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.14 грн
5+67.62 грн
10+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA 3934692.pdf Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.58 грн
10+140.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1,S1X(S Виробник : Toshiba 2149docget.jsplangenpidtk34e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk34e10n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.