TK39J60W,S1VQ(O Toshiba
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 1070.16 грн |
| 14+ | 905.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK39J60W,S1VQ(O Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38.8A, Power dissipation: 270W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 65mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 110nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TK39J60W,S1VQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK39J60W,S1VQ(O | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TK39J60W,S1VQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38.8A Power dissipation: 270W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |