TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK40E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.68 грн |
| 15+ | 54.91 грн |
| 100+ | 52.61 грн |
| 500+ | 38.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK40E06N1,S1X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK40E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товару немає в наявності |
|
| TK40E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA | TK40E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |