Продукція > TOSHIBA > TK40E06N1,S1X(S
TK40E06N1,S1X(S

TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.99 грн
10+95.17 грн
100+64.24 грн
500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK40E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: To Be Advised.