TK4P60DA TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK4P60DA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 76.50 грн |
| 500+ | 62.53 грн |
| 1000+ | 53.76 грн |
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Технічний опис TK4P60DA TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK4P60DA за ціною від 53.76 грн до 141.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TK4P60DA | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK4P60DA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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