Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK4R4P06PL,RQ
TK4R4P06PL,RQ

TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=56993&prodName=TK4R4P06PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TK4R4P06PL,RQ за ціною від 45.88 грн до 81.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK4R4P06PL,RQ TK4R4P06PL,RQ Виробник : Toshiba TK4R4P06PL_datasheet_en_20210127-1142570.pdf MOSFETs N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
на замовлення 11781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.52 грн
10+62.13 грн
100+48.37 грн
250+48.07 грн
500+47.46 грн
1000+47.09 грн
2500+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ TK4R4P06PL,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56993&prodName=TK4R4P06PL Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.63 грн
10+55.89 грн
100+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ TK4R4P06PL,RQ Виробник : Toshiba tk4r4p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ Виробник : Toshiba tk4r4p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.