Продукція > TOSHIBA > TK5A90E,S4X(S

TK5A90E,S4X(S Toshiba


tk5a90edatasheeten20151119.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+136.45 грн
129+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5A90E,S4X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK5A90E,S4X(S за ціною від 121.22 грн до 137.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK5A90E,S4X(S TK5A90E,S4X(S Toshiba tk5a90edatasheeten20151119.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.81 грн
10+122.23 грн
25+121.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S TK5A90E,S4X(S TOSHIBA 3934733.pdf Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S TK5A90E,S4X(S Toshiba tk5a90edatasheeten20151119.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S tk5a90edatasheeten20151119.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+137.81 грн
10+122.23 грн
25+121.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S 3934733.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S tk5a90edatasheeten20151119.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.