TLD8S30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
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Технічний опис TLD8S30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: DO-218AB, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.3V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 36.8V, isCanonical: Y, Sperrspannung: 30V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 48.4V.
Інші пропозиції TLD8S30AH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TLD8S30AH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-218AB euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 33.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 36.8V isCanonical: N Sperrspannung: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 48.4V |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TLD8S30AH |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
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Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
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Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


