TLD8S30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR



Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TLD8S30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: DO-218AB, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.3V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 36.8V, isCanonical: Y, Sperrspannung: 30V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 48.4V.

Інші пропозиції TLD8S30AH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLD8S30AH TLD8S30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: N
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S30AH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TLD8S30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 36.8V
isCanonical: N
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.4V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.