Технічний опис TLE2062AIDR TI
Description: IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Amplifier Type: J-FET, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Current - Supply: 625µA (x2 Channels), Slew Rate: 3.4V/µs, Gain Bandwidth Product: 2 MHz, Current - Input Bias: 4 pA, Voltage - Input Offset: 800 µV, Supplier Device Package: 8-SOIC, Number of Circuits: 2, Current - Output / Channel: 80 mA, Voltage - Supply Span (Min): 7 V, Voltage - Supply Span (Max): 36 V.
Інші пропозиції TLE2062AIDR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TLE2062AIDR | Виробник : TI |
 07+; |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
TLE2062AIDR | Виробник : Texas Instruments |
Op Amp Dual High Output Current Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|
|
|
TLE2062AIDR | Виробник : Texas Instruments |
Op Amp Dual High Output Current Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|
 |
TLE2062AIDR | Виробник : Texas Instruments |
Op Amp Dual High Output Current Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|
 |
TLE2062AIDR | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: J-FET Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Current - Supply: 625µA (x2 Channels) Slew Rate: 3.4V/µs Gain Bandwidth Product: 2 MHz Current - Input Bias: 4 pA Voltage - Input Offset: 800 µV Supplier Device Package: 8-SOIC Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 80 mA Voltage - Supply Span (Min): 7 V Voltage - Supply Span (Max): 36 V |
товар відсутній |
|
 |
TLE2062AIDR | Виробник : Texas Instruments |
Operational Amplifiers - Op Amps Excalibur JFET-Input Hi-Out-Drv uPwr Dual |
товар відсутній |