Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0104N3-G
TN0104N3-G

TN0104N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 450mA; Idm: 2.4A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 0.45A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.61 грн
13+74.08 грн
25+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0104N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - TN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції TN0104N3-G за ціною від 61.39 грн до 111.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN0104N3-G TN0104N3-G Виробник : Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.35 грн
25+70.84 грн
100+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104N3-G Виробник : MICROCHIP 2595652.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.73 грн
25+75.79 грн
100+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104N3-G Виробник : Microchip Technology TN0104_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442251.pdf MOSFETs 40V 1.8Ohm
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.13 грн
25+78.53 грн
100+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 450mA; Idm: 2.4A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 0.45A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.41 грн
5+97.96 грн
13+88.89 грн
25+84.36 грн
100+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.45A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+111.78 грн
250+93.49 грн
500+90.89 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G
Код товару: 197992
Додати до обраних Обраний товар

TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.45A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.45A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.45A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.