Інші пропозиції TN0104N3-G за ціною від 56.97 грн до 77.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TN0104N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
TN0104N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 40V 1.8Ohm |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
TN0104N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 mA, 1.5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
TN0104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.45A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. |
| TN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Description: MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.49 грн |
| 25+ | 63.37 грн |
| 100+ | 56.97 грн |
| TN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 40V 1.8Ohm
MOSFETs 40V 1.8Ohm
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TN0104N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICROCHIP - TN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TN0104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.45A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.45A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






