Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0104N8-G
TN0104N8-G

TN0104N8-G Microchip Technology

TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0104N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN0104, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції TN0104N8-G за ціною від 67.55 грн до 163.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP 4019770.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.22 грн
2000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+91.86 грн
2000+83.61 грн
4000+80.86 грн
6000+75.42 грн
8000+67.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.61 грн
25+79.17 грн
100+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP 4019770.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.18 грн
25+85.67 грн
100+80.07 грн
2000+68.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology TN0104_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442251.pdf MOSFETs 40V 2Ohm
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.51 грн
25+87.83 грн
100+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.73 грн
90+135.03 грн
93+131.33 грн
100+119.94 грн
250+100.04 грн
500+92.92 грн
1000+80.02 грн
3000+70.12 грн
6000+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.64 грн
10+144.67 грн
25+140.71 грн
100+128.51 грн
250+107.18 грн
500+99.56 грн
1000+85.74 грн
3000+75.12 грн
6000+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 630mA; Idm: 2.9A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
On-state resistance: 1.8Ω
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 2.9A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 630mA; Idm: 2.9A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
On-state resistance: 1.8Ω
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 2.9A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.