Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0104N8-G
TN0104N8-G

TN0104N8-G Microchip Technology

TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0104N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-243AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN0104, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції TN0104N8-G за ціною від 60.57 грн до 101.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN0104N8-G TN0104N8-G Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.52 грн
25+75.76 грн
100+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G MICROCHIP 4019770.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.10 грн
2000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf MOSFETs 40V 2Ohm
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.92 грн
25+81.68 грн
100+65.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104N8-G MICROCHIP 4019770.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.74 грн
25+100.92 грн
100+100.10 грн
2000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
TN0104N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.52 грн
25+75.76 грн
100+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G 4019770.pdf
TN0104N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+100.10 грн
2000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
TN0104N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 40V 2Ohm
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.92 грн
25+81.68 грн
100+65.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G 4019770.pdf
TN0104N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 9946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.74 грн
25+100.92 грн
100+100.10 грн
2000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.