TN0104N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 76.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0104N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN0104, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TN0104N8-G за ціною від 68.53 грн до 166.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN0104N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN0104 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
TN0104N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
TN0104N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V |
на замовлення 12118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
TN0104N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN0104 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
TN0104N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 40V 2Ohm |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
TN0104N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
TN0104N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| TN0104N8-G |
|
на замовлення 2767 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
 |
TN0104N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
TN0104N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| TN0104N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TN0104N8-G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |