Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0106N3-G-P003
TN0106N3-G-P003

TN0106N3-G-P003 Microchip Technology

TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.64 грн
25+66.55 грн
100+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0106N3-G-P003 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN0106N3-G-P003 за ціною від 61.39 грн до 93.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN0106N3-G-P003 TN0106N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TN0106_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442214.pdf MOSFETs N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.13 грн
25+77.69 грн
100+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G-P003 TN0106N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology tn010620c080813.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G-P003 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf TN0106N3-G-P003 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G-P003 TN0106N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.