Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0106N3-G
TN0106N3-G

TN0106N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.51 грн
17+56.57 грн
25+55.04 грн
45+53.51 грн
100+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0106N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN0106N3-G за ціною від 55.78 грн до 97.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN0106N3-G TN0106N3-G Виробник : Microchip Technology TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
25+63.24 грн
100+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G TN0106N3-G Виробник : Microchip Technology TN0106_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442214.pdf MOSFETs 60V 3Ohm
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 49-58 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.48 грн
25+71.40 грн
100+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G TN0106N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.81 грн
5+82.88 грн
17+67.89 грн
25+66.05 грн
45+64.22 грн
100+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.