TN0604N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 108.61 грн |
| 25+ | 86.56 грн |
| 100+ | 79.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0604N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TN0604N3-G за ціною від 68.88 грн до 112.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 40V 0.75Ohm |
на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
TN0604N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.7A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| TN0604N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TN0604N3-G THT N channel transistors |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.7A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.7A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |


