
TN0604N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 700mA; Idm: 4.6A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.6A
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 85.83 грн |
6+ | 71.27 грн |
16+ | 59.01 грн |
42+ | 55.94 грн |
100+ | 54.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0604N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TN0604N3-G за ціною від 65.29 грн до 113.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TN0604N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 700mA; Idm: 4.6A; 740mW; TO92 Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.7A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 628 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V |
на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0604N3-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
TN0604N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |