Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0604N3-G
TN0604N3-G

TN0604N3-G Microchip Technology

TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.83 грн
25+81.96 грн
100+75.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0604N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TN0604N3-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN0604N3-G TN0604N3-G MICROCHIP 2595637.pdf Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G TN0604N3-G Microchip Technology TN0604_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442275.pdf MOSFETs 40V 0.75Ohm
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G 2595637.pdf
TN0604N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G TN0604_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442275.pdf
TN0604N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 40V 0.75Ohm
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.