Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0606N3-G
TN0606N3-G

TN0606N3-G Microchip Technology

TN0606-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005935A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.35 грн
25+56.93 грн
100+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0606N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції TN0606N3-G за ціною від 52.70 грн до 124.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN0606N3-G TN0606N3-G Microchip Technology TN0606_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442099.pdf MOSFETs 60V 1.5Ohm
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+75.59 грн
10+73.92 грн
25+60.91 грн
100+55.70 грн
250+55.48 грн
500+55.19 грн
1000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.89 грн
150+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+124.07 грн
250+102.78 грн
500+99.71 грн
1000+93.90 грн
3000+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606N3-G MICROCHIP 2595638.pdf Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442099.pdf
TN0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 1.5Ohm
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.59 грн
10+73.92 грн
25+60.91 грн
100+55.70 грн
250+55.48 грн
500+55.19 грн
1000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf
TN0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+99.89 грн
150+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf
TN0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+124.07 грн
250+102.78 грн
500+99.71 грн
1000+93.90 грн
3000+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G 2595638.pdf
TN0606N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.