Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0606N3-G
TN0606N3-G

TN0606N3-G Microchip Technology

TN0606-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005935A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
25+57.07 грн
100+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0606N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції TN0606N3-G за ціною від 84.30 грн до 122.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN0606N3-G TN0606N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.00 грн
150+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.97 грн
250+101.87 грн
500+98.83 грн
1000+93.07 грн
3000+84.30 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606N3-G Microchip Technology TN0606_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442099.pdf MOSFETs 60V 1.5Ohm
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606N3-G MICROCHIP 2595638.pdf Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf
TN0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+99.00 грн
150+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005935a.pdf
TN0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+122.97 грн
250+101.87 грн
500+98.83 грн
1000+93.07 грн
3000+84.30 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442099.pdf
TN0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 1.5Ohm
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G 2595638.pdf
TN0606N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.