Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0610N3-G-P003
TN0610N3-G-P003

TN0610N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY

TN0610.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.67 грн
12+ 69.54 грн
32+ 65.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0610N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN0610N3-G-P003 за ціною від 65.23 грн до 109.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TN0610N3-G-P003 TN0610N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TN0610_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-1901945.pdf MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.7 грн
25+ 82.15 грн
100+ 69.43 грн
1000+ 66.76 грн
4000+ 65.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN0610N3-G-P003 TN0610N3-G-P003 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0610.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.64 грн
5+ 100.53 грн
12+ 83.45 грн
32+ 78.44 грн
2000+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN0610N3-G-P003 TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN0610N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology tn061020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TN0610N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology tn061020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TN0610N3-G-P003 TN0610N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology tn061020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TN0610N3-G-P003 TN0610N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній