TN0610N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.47 грн |
| 12+ | 75.10 грн |
| 25+ | 74.33 грн |
| 33+ | 71.27 грн |
| 100+ | 70.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0610N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN0610N3-G-P003 за ціною від 73.42 грн до 115.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TN0610N3-G-P003 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TN0610N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TN0610N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TN0610N3-G-P003 |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
TN0610N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| TN0610N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
TN0610N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |