Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0620N3-G-P002
TN0620N3-G-P002

TN0620N3-G-P002 Microchip Technology

tn062020b080813.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.88 грн
25+70.01 грн
100+65.03 грн
250+59.61 грн
500+57.09 грн
1000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0620N3-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN0620N3-G-P002 за ціною від 52.59 грн до 118.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Microchip Technology tn062020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.34 грн
194+73.09 грн
202+70.01 грн
210+65.03 грн
250+59.61 грн
500+57.09 грн
1000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+90.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.87 грн
25+95.70 грн
100+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P002 TN0620N3-G-P002 Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 11620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P002 tn062020b080813.pdf
TN0620N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+73.34 грн
194+73.09 грн
202+70.01 грн
210+65.03 грн
250+59.61 грн
500+57.09 грн
1000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P002 TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf
TN0620N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+90.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P002 TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf
TN0620N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.87 грн
25+95.70 грн
100+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G-P002 TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf
TN0620N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 11620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.