TN0620N3-G-P014 Microchip Technology
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 129.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0620N3-G-P014 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN0620N3-G-P014
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TN0620N3-G-P014 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|
| TN0620N3-G-P014 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
||
 |
TN0620N3-G-P014 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
TN0620N3-G-P014 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
товару немає в наявності |