Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0620N3-G
TN0620N3-G

TN0620N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+101.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0620N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

Інші пропозиції TN0620N3-G за ціною від 81.96 грн до 168.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
25+89.17 грн
100+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.32 грн
10+147.57 грн
25+113.00 грн
50+107.88 грн
100+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.32 грн
95+149.18 грн
114+124.83 грн
115+119.17 грн
126+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.04 грн
10+151.17 грн
25+113.61 грн
100+103.21 грн
250+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.56 грн
250+150.43 грн
500+147.99 грн
1000+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.59 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology TN0620_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442111.pdf MOSFETs 200V 6Ohm
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G MICROCHIP 2595653.pdf Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+101.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
25+89.17 грн
100+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+151.32 грн
10+147.57 грн
25+113.00 грн
50+107.88 грн
100+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.32 грн
95+149.18 грн
114+124.83 грн
115+119.17 грн
126+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+153.04 грн
10+151.17 грн
25+113.61 грн
100+103.21 грн
250+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.56 грн
250+150.43 грн
500+147.99 грн
1000+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+168.59 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442111.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 200V 6Ohm
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G 2595653.pdf
TN0620N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.