Технічний опис TN0620N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.
Інші пропозиції TN0620N3-G за ціною від 80.28 грн до 168.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TN0620N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 200V 6Ohm |
на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TN0620N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 101.28 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.49 грн |
| 25+ | 87.34 грн |
| 100+ | 80.28 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 151.66 грн |
| 10+ | 147.90 грн |
| 25+ | 113.25 грн |
| 50+ | 108.12 грн |
| 100+ | 90.43 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 151.66 грн |
| 95+ | 149.52 грн |
| 114+ | 125.10 грн |
| 115+ | 119.44 грн |
| 126+ | 100.31 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 153.38 грн |
| 10+ | 151.51 грн |
| 25+ | 113.86 грн |
| 100+ | 103.44 грн |
| 250+ | 93.26 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 153.38 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 167.93 грн |
| 250+ | 150.77 грн |
| 500+ | 148.32 грн |
| 1000+ | 141.84 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 168.97 грн |
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 200V 6Ohm
MOSFETs 200V 6Ohm
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TN0620N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






