
TN0620N3-G Microchip Technology
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 81.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0620N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції TN0620N3-G за ціною від 72.43 грн до 150.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
TN0620N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
TN0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |