TN0702N3-G Microchip Technology
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 81.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0702N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TN0702N3-G за ціною від 81.50 грн до 134.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN0702N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 20V 1.3Ohm |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| TN0702N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TN0702N3-G THT N channel transistors |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |