TN0702N3-G Microchip Technology
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 247+ | 52.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN0702N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції TN0702N3-G за ціною від 68.48 грн до 136.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 20V 1.3Ohm |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TN0702N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
TN0702N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |