Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0702N3-G
TN0702N3-G

TN0702N3-G Microchip Technology

TN0702%20C080813.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.51 грн
25+81.01 грн
100+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0702N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.

Інші пропозиції TN0702N3-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN0702N3-G TN0702N3-G MICROCHIP 2648021.pdf Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology TN0702_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005941A.pdf MOSFETs 20V 1.3Ohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G 2648021.pdf
TN0702N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005941A.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 20V 1.3Ohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.