Технічний опис TN0702N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.
Інші пропозиції TN0702N3-G за ціною від 74.56 грн до 149.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN0702N3-G | Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TN0702N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
TN0702N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TN0702N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 20V 1.3Ohm |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TN0702N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
TN0702N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TN0702N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.06 грн |
| 25+ | 83.07 грн |
| 100+ | 74.56 грн |
| TN0702N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 129+ | 109.82 грн |
| 132+ | 107.60 грн |
| TN0702N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.33 грн |
| 250+ | 130.21 грн |
| TN0702N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 20V 1.3Ohm
MOSFETs 20V 1.3Ohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TN0702N3-G |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TN0702N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)