Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN0702N3-G
TN0702N3-G

TN0702N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

TN0702%20C080813.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 530mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.65 грн
13+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0702N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.

Інші пропозиції TN0702N3-G за ціною від 71.83 грн до 142.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology TN0702%20C080813.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.81 грн
25+83.02 грн
100+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology TN0702_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005941A.pdf MOSFETs 20V 1.3Ohm
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+112.02 грн
25+91.87 грн
100+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+112.23 грн
250+101.10 грн
500+97.88 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G MICROCHIP 2648021.pdf Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702%20C080813.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.81 грн
25+83.02 грн
100+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005941A.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 20V 1.3Ohm
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.02 грн
25+91.87 грн
100+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+112.23 грн
250+101.10 грн
500+97.88 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005941a.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.53A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
101+142.00 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G 2648021.pdf
TN0702N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0702N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.