Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2106K1-G
TN2106K1-G

TN2106K1-G Microchip Technology

TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2106K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN2106K1-G за ціною від 32.01 грн до 56.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN2106K1-G TN2106K1-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.72 грн
25+37.01 грн
100+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106K1-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf MOSFETs 60V 2.5Ohm
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+48.80 грн
25+40.58 грн
100+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106K1-G
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.21 грн
25+41.14 грн
100+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106K1-G
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.06 грн
3000+55.51 грн
6000+55.36 грн
9000+53.25 грн
12000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106K1-G
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.72 грн
25+37.01 грн
100+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 2.5Ohm
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.80 грн
25+40.58 грн
100+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Виробник: Microchip Technology
TN2106K1-G
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+45.21 грн
25+41.14 грн
100+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Виробник: Microchip Technology
TN2106K1-G
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+56.06 грн
3000+55.51 грн
6000+55.36 грн
9000+53.25 грн
12000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Виробник: Microchip Technology
TN2106K1-G
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.