Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2106K1-G
TN2106K1-G

TN2106K1-G Microchip Technology

TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2106K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN2106K1-G за ціною від 34.42 грн до 56.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2106K1-G TN2106K1-G Виробник : Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 25673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.18 грн
25+39.47 грн
100+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G TN2106K1-G Виробник : Microchip Technology TN2106_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442086.pdf MOSFETs 60V 2.5Ohm
на замовлення 5184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
25+43.58 грн
100+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106K1-G Виробник : Microchip TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf N-Channel 60V 280mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) TN2106K1-G Microchip TTN2106K1-G
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.