Продукція > MICROCHIP > TN2106N3-G
TN2106N3-G

TN2106N3-G MICROCHIP

TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 0.5 A, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.61 грн
25+44.05 грн
100+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2106N3-G MICROCHIP

Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 0.5 A, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN2106, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції TN2106N3-G за ціною від 35.52 грн до 76.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.02 грн
25+39.51 грн
100+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf MOSFET 60V 2.5Ohm
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.11 грн
25+43.97 грн
100+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106N3-G THT N channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.76 грн
27+40.36 грн
73+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology tn210620b080913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.