Інші пропозиції TN2106N3-G за ціною від 30.79 грн до 4270.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 2.5Ohm |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TN2106N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN2106 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TN2106N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
TN2106N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |