Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TN2106N3-G

TN2106N3-G

TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Код товару: 218558
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TN2106N3-G за ціною від 32.34 грн до 63.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN2106N3-G TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf MOSFETs 60V 2.5Ohm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.84 грн
25+35.70 грн
100+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.43 грн
25+34.74 грн
28+34.16 грн
76+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G MICROCHIP 3216669.pdf Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106N3-G
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106N3-G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.48 грн
25+53.44 грн
100+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106N3-G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+63.48 грн
267+53.44 грн
291+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 2.5Ohm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.84 грн
25+35.70 грн
100+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.43 грн
25+34.74 грн
28+34.16 грн
76+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G 3216669.pdf
TN2106N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Виробник: Microchip Technology
TN2106N3-G
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Виробник: Microchip Technology
TN2106N3-G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+63.48 грн
25+53.44 грн
100+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Виробник: Microchip Technology
TN2106N3-G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
225+63.48 грн
267+53.44 грн
291+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.