Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2106N3-G
TN2106N3-G

TN2106N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005942a.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2106N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN2106, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TN2106N3-G за ціною від 30.08 грн до 65.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.55 грн
25+35.47 грн
100+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf MOSFETs 60V 2.5Ohm
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.60 грн
25+37.85 грн
100+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : MICROCHIP 3216669.pdf Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+47.08 грн
25+38.79 грн
100+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.87 грн
11+40.11 грн
25+30.49 грн
100+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005942a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+56.48 грн
500+51.98 грн
1000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005942a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.85 грн
7+49.98 грн
25+36.59 грн
100+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G
Код товару: 218558
Додати до обраних Обраний товар

TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005942a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005942a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.