TN2130K1-G MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2130K1-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції TN2130K1-G за ціною від 16.73 грн до 35.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TN2130K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TN2130K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TN2130K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 300V 25Ohm |
на замовлення 34786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TN2130K1-G | Виробник : Supertex |
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TN2130K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TN2130K1-G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
TN2130K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |