Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2130K1-G
TN2130K1-G

TN2130K1-G Microchip Technology

TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2130K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TN2130K1-G за ціною від 17.39 грн до 33.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN2130K1-G TN2130K1-G Microchip Technology TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.15 грн
25+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130K1-G Microchip Technology TN2130_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_DS20005944.pdf MOSFETs 300V 25Ohm
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+33.86 грн
25+28.83 грн
1000+24.11 грн
3000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130K1-G MICROCHIP 3099062.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130K1-G MICROCHIP TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G Supertex TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G Microchip Technology TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
TN2130K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.15 грн
25+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_DS20005944.pdf
TN2130K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 300V 25Ohm
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+33.86 грн
25+28.83 грн
1000+24.11 грн
3000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G 3099062.pdf
TN2130K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
TN2130K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
Виробник: Supertex
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2130K1-G TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.