
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.44 грн |
25+ | 102.12 грн |
100+ | 84.40 грн |
4000+ | 83.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2425N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-89-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN2425N8-G за ціною від 90.97 грн до 124.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TN2425N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
TN2425N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
TN2425N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
TN2425N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |