TN2435N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 89.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2435N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN2435N8-G за ціною від 77.55 грн до 138.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 350V 10Ohm |
на замовлення 5862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TN2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 4653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TN2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TN2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
TN2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TN2435N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
TN2435N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 365mA; Idm: 1.8A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Drain current: 365mA Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |