Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2510N8-G
TN2510N8-G

TN2510N8-G Microchip Technology

17tn2510.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2510N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 730mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції TN2510N8-G за ціною від 58.72 грн до 139.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+73.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.62 грн
12+81.35 грн
25+79.77 грн
32+76.61 грн
100+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.78 грн
25+78.16 грн
100+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+101.41 грн
10+100.42 грн
25+83.52 грн
100+72.10 грн
250+66.08 грн
500+62.79 грн
1000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+105.97 грн
2000+105.44 грн
4000+104.91 грн
6000+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : MICROCHIP TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 730mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.17 грн
25+90.16 грн
100+81.06 грн
2000+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442100.pdf MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.92 грн
25+88.94 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+108.14 грн
137+89.95 грн
153+80.52 грн
250+76.86 грн
500+70.44 грн
1000+63.24 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.50 грн
5+114.17 грн
12+97.62 грн
25+95.73 грн
32+91.94 грн
100+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+139.15 грн
100+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G Виробник : Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.