Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2510N8-G
TN2510N8-G

TN2510N8-G Microchip Technology

17tn2510.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2510N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 730mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції TN2510N8-G за ціною від 58.58 грн до 138.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.88 грн
12+82.91 грн
25+78.92 грн
32+78.13 грн
100+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.69 грн
25+78.89 грн
100+71.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+101.17 грн
10+100.18 грн
25+83.32 грн
100+71.92 грн
250+65.93 грн
500+62.64 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+105.72 грн
2000+105.19 грн
4000+104.66 грн
6000+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+107.89 грн
137+89.73 грн
153+80.33 грн
250+76.68 грн
500+70.27 грн
1000+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : MICROCHIP TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 730mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.17 грн
25+91.00 грн
100+81.82 грн
2000+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442100.pdf MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.93 грн
25+89.77 грн
100+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.57 грн
5+113.25 грн
12+99.49 грн
25+94.71 грн
32+93.75 грн
100+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+138.81 грн
100+135.59 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G Виробник : Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+97.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Виробник : Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.