TN2510N8-G Microchip Technology


TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2510N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 730mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

Інші пропозиції TN2510N8-G за ціною від 69.93 грн до 167.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 8072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.24 грн
25+77.48 грн
100+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005950A.pdf MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+102.91 грн
2000+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+127.67 грн
2000+127.03 грн
4000+126.39 грн
6000+121.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+130.28 грн
137+108.36 грн
153+97.00 грн
250+92.60 грн
500+84.86 грн
1000+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.57 грн
10+130.28 грн
25+108.36 грн
100+93.54 грн
250+85.74 грн
500+81.46 грн
1000+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology 17tn2510.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+167.63 грн
100+163.73 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP 2337820.pdf Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 730mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G 17tn2510.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G 17tn2510.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 8072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.24 грн
25+77.48 грн
100+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005950A.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.91 грн
2000+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G 17tn2510.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+127.67 грн
2000+127.03 грн
4000+126.39 грн
6000+121.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G 17tn2510.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+130.28 грн
137+108.36 грн
153+97.00 грн
250+92.60 грн
500+84.86 грн
1000+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G 17tn2510.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+131.57 грн
10+130.28 грн
25+108.36 грн
100+93.54 грн
250+85.74 грн
500+81.46 грн
1000+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G 17tn2510.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+167.63 грн
100+163.73 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G 2337820.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 730mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.