Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2510N8-G
TN2510N8-G

TN2510N8-G Microchip Technology

TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2510N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 730mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TN2510N8-G за ціною від 66.05 грн до 107.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 11133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.98 грн
25+73.17 грн
100+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005950A.pdf MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.17 грн
2000+93.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 730mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.64 грн
25+82.05 грн
100+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 11133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+90.98 грн
25+73.17 грн
100+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 100V 1.5Ohm
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.17 грн
2000+93.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 730mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.64 грн
25+82.05 грн
100+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.