TN2524N8-G

TN2524N8-G MICROCHIP


TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2524N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2524N8-G MICROCHIP

Description: MICROCHIP - TN2524N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції TN2524N8-G за ціною від 75.89 грн до 137.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+114.25 грн
2000+113.17 грн
4000+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 360mA; Idm: 2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.48 грн
5+96.71 грн
25+85.52 грн
100+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.86 грн
25+94.12 грн
100+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf MOSFETs 240V 6Ohm
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.16 грн
25+97.06 грн
100+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+125.73 грн
100+124.56 грн
121+103.05 грн
123+98.14 грн
250+89.73 грн
500+85.05 грн
1000+83.96 грн
3000+82.86 грн
6000+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.71 грн
10+133.46 грн
25+110.42 грн
100+105.15 грн
250+96.14 грн
500+91.12 грн
1000+89.95 грн
3000+88.78 грн
6000+87.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 360mA; Idm: 2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.38 грн
5+120.52 грн
25+102.63 грн
100+99.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G
Код товару: 131242
Додати до обраних Обраний товар

TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005952a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology tn252420c080913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2524N8-G TN2524N8-G Виробник : Microchip Technology TN2524-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005952A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.