
TN2524N8-G MICROCHIP

Description: MICROCHIP - TN2524N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 85.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2524N8-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2524N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TN2524N8-G за ціною від 74.96 грн до 143.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 360mA; Idm: 2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Pulsed drain current: 2A Drain current: 0.36A Power dissipation: 1.6W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 6785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 6785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 360mA; Idm: 2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Pulsed drain current: 2A Drain current: 0.36A Power dissipation: 1.6W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
TN2524N8-G Код товару: 131242
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
TN2524N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |